Akademie für Elektronen-mikroskopie und Analytik gemeinnützige GmbH

Korbmacherweg 2
48161 Münster

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Lehrgang EBSD

Electron Backscatter Diffraction (EBSD):
Die kristallographische Charakterisierung im REM

Inhalt

Die Beugung rückgestreuter Elektronen im Rasterelektronenmikroskop stellt nicht nur sehr spezifische Anforderungen an die Gerätetechnik, sondern konfrontiert den Nutzer nicht selten mit Problemen, sobald sich an einem gewohnten Messablauf etwas ändert. Das kann eine "unbekannte" Phase sein, die analysiert werden soll, oder es müssen die Messbedingungen neu überdacht werden, weil schlecht leitende Werkstoffe untersucht werden sollen. Oft ist es aber einfach nur die Suche nach dem Weg, wie nach der Messung das Ergebnis in eine der Fragestellung gerecht werdenden Form gefunden und dann präsentiert werden kann.
In den Vorträgen sollen daher, beginnend bei den Grundlagen der Kristallbeschreibung und der Erläuterung der wichtigsten Darstellungswerkzeuge, in Schwerpunkten die einzelnen Parameter und Einflussgrößen diskutiert werden. Ziel ist es, dem Nutzer ein generelles Verständnis der ablaufenden Prozesse zu vermitteln. Damit sollte er/sie in der Lage sein, besser auf konkrete Probleme reagieren zu können und optimale Lösungswege zu finden.
In Demonstrationen und freien Übungen können ihre analytischen Fragen und Probleme theoretisch und praktisch an den neuesten zur Verfügung stehenden Geräten und Software behandelt werden.


  1. Einführung kristallographischer Grundbegriffe:
    Vom Kristall zur Struktur, Einführung des Kristallgitters und des reziproken Gitters, Indizierung von Ebenen und Richtungen im Gitter, die stereographische Projektion
  2. Kristall- und Proben-Symmetrien: Punkt-, Raum- und Lauegruppen
  3. Darstellung von Kristallorientierungen (Orientierungsmatrix, Euler-Winkel, Drehachse/Drehwinkel, Rodrigues-Vektor) und Missorientierungen (Sigma-Korngrenzen)
  4. Darstellung des Mikrogefüges:
    Orientierungs-Verteilungs-Bilder: Miller-, Euler-, Rodrigues-Maps; Pattern-Quality-Maps
  5. EBSD und kristallographische Textur:
    Polfigur, inverse Polfigur, ODF, MODF, Kornstatistik, Orientierungsstereologie
  6. Praktische Übungen
  7. Kikuchi-Beugung:
    Entstehung von EBSD-Diagrammen, kristallographische Information
  8. EBSD-relevante Einflussgrößen:
    Probenpräparation, Topographie, Probenkippung, Beschleunigungsspannung, Bildverzeichnungen, Arbeitsabstand, Aufladung, Kammerinnendruck etc.
  9. Einflussnahme auf Mess- und Auswertungsparameter, Integrationszeit, Pixelbinning, Untergrundabzug, Hough-Transformation, Bandanzahl, Reflektoranzahl etc.
  10. Diskussion möglicher Fehlereinflüsse (Systemkalibrierung, absolute und relative Orientierung, Winkel- und Ortsauflösung, phasenspezifische Größen wie Reflexe höherer Ordnung, Pseudosymmetrie, Theorie der Reflexsimulation)
  11. Messstrategien für Orientierungs- bzw. Missorientierungsmessungen
  12. Phasendiskriminierung und Phasenidentifikation mit EBSD
  13. EBSD-Anwendungen im Überblick:
    Möglichkeiten und Grenzen

Arbeitsunterlagen werden zur Verfügung gestellt. Über die Teilnahme an diesem Lehrgang wird eine Bescheinigung ausgestellt.

Zielgruppe

Wissenschaftliche und technische Mitarbeiter aus Industrie, Forschungseinrichtungen, Hochschulen oder Behörden, die ihre Kenntnisse und praktischen Erfahrungen über Anwendungen in allen Bereichen der kristallographischen Gefüge- und Phasencharakterisierung im REM auffrischen bzw. vertiefen und mehr über das derzeitige Leistungsspektrum der Methode erfahren wollen.

Lehrgangsleitung

Prof. Dr. R. Schwarzer
unter Mitwirkung von Mitarbeitern von EBSD-Firmen

Termin

30.03. - 01.04.2011
Mittwoch – Donnerstag: 08:30 - 13:00 Uhr und 14:30 - 17:30 Uhr
Freitag: 08:30 - 16:00 Uhr

Veranstaltungsort

Westfälische Wilhelms-Universität Münster

Kosten

980,- EUR (mehrwertsteuerfrei)

Veranstalter

Akademie für Elektronenmikroskopie und Analytik gemeinnützige GmbH

Anmeldung

Bitte nutzen Sie für die Anmeldung folgendes Online-Formular:


Online-Anmeldung

Falls die Online-Anmeldung für Sie keine Option ist, melden Sie sich bitte per Brief oder per Fax unter Angabe der Kursnummer an:


  • Priv.-Doz. Dr. P.F. Schmidt
  • Akademie für Elektronenmikroskopie und Analytik gGmbH
  • Korbmacherweg 2
  • 48161 Münster
  •  
  • Tel.: 0251/83-55112
  • Fax: 0251/83-55188

Bei der Anmeldung für die REM-Lehrgänge geben Sie bitte den Typ des REM und des EDX-Analysengerätes an, an dem Sie arbeiten oder arbeiten werden. Diese Angabe benötigen wir für die Einteilung in die Arbeitsgruppen.

Nähere Informationen zum Lehrgang (Bestätigung, genaue Ortsangabe und Rechnung) gehen Ihnen nach Ihrer Anmeldung zu.

Programmänderungen bleiben vorbehalten. Für Schäden oder Verluste im Zusammenhang mit der Lehrgangsabwicklung wird keine Haftung übernommen. Kommt der Lehrgang nicht zustande, wird die gezahlte Teilnahmegebühr erstattet, weitergehende Ansprüche sind ausgeschlossen.

Zimmerbestellung

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Preiskategorien für Einzelzimmer:

IV: bis 47,- EUR II: 75,- bis 103,- EUR
III: 47,- bis 75,- EUR I: ab 103,- EUR
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