Lehrgang EBSD

Akademie für Elektronen-mikroskopie und Analytik gemeinnützige GmbH

Korbmacherweg 2
48161 Münster

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Lehrgang EBSD

Electron Backscatter Diffraction (EBSD):
Die kristallographische Charakterisierung im REM

Inhalt

Die Beugung rückgestreuter Elektronen im Rasterelektronenmikroskop stellt nicht nur sehr spezifische Anforderungen an die Gerätetechnik, sondern konfrontiert den Nutzer nicht selten mit Problemen, sobald sich an einem gewohnten Messablauf etwas ändert. Das kann eine "unbekannte" Phase sein, die analysiert werden soll, oder es müssen die Messbedingungen neu überdacht werden, weil schlecht leitende Werkstoffe untersucht werden sollen. Oft ist es aber einfach nur die Suche nach dem Weg, wie nach der Messung das Ergebnis in eine der Fragestellung gerecht werdenden Form gefunden und dann präsentiert werden kann.
In den Vorträgen sollen daher, beginnend bei den Grundlagen der Kristallbeschreibung und der Erläuterung der wichtigsten Darstellungswerkzeuge, in Schwerpunkten die einzelnen Parameter und Einflussgrößen diskutiert werden. Ziel ist es, dem Nutzer ein generelles Verständnis der ablaufenden Prozesse zu vermitteln. Damit sollte er/sie in der Lage sein, besser auf konkrete Probleme reagieren zu können und optimale Lösungswege zu finden.
In Demonstrationen und freien Übungen können ihre analytischen Fragen und Probleme theoretisch und praktisch an den neuesten zur Verfügung stehenden Geräten und Software behandelt werden.

Einführung kristallographischer Grundbegriffe:
Kristallgitters und Kristallstruktur, Definition von Ebenen und Richtungen im Kristallgitter bzw. deren Indizierung, Winkel zwischen Ebenen
Stereographische und gnomonische Projektion
Kristallorientierung/Misorientierungs-Beschreibung: Orientierungsmatrix, Euler-Winkel, Drehachse/Drehwinkel, Rodrigues-Vektor, Quarternionen, Klassifizierung von Korngrenzen
Einzelorientierung und kristallographische Textur:
Polfigur, inverse Polfigur, ODF, MODF, Kornstatistik, Orientierungsstereologie
Die (derzeitige) Interpretation von EBSD patterns:
Entstehung, Informationsgehalt, Wege zur Intensität, Simulation, Arbeitsweise von BSE- und FSE-Detektor
Typische Messvorbereitung:
Probennahme, Präparationstechniken und Montage
Praktische Übungen am REM
Orientierungs- bzw. Misorientierungsmessungen:
systembedingte Unterschiede in Messablauf und -vorbereitung
Experimentelle Einflussgrößen:
Topographie, Probenkippung, Beschleunigungsspannung, Bildverzeichnungen, Arbeitsabstand, Winkel- und Ortsauflösung, Aufladung, etc.
Softwarebedingte Einflussgrößen:
Integrationszeit versus Bildmittelung, Auflösung von Bild (Binning) und Houghraum, Untergrund, Indizierungsstrategie (z.B. Band-, Reflektoranzahl)
Typische Fehlerquellen:
Systemkalibrierung, absolute und relative Orientierung, pseudosymmetrische Phasen, Fehlinterpretation, Datenbereinigung
Methodenkopplung: EBSD – EDS – WDS etc.
Phasenseparation und -identifikation
EBSD-Anwendungen im Überblick:
typische Applikationen bis hin zu in-situ Experimente wie 3D-EBSD oder Hochtemperaturuntersuchungen bzw. Deformation im REM

Arbeitsunterlagen werden zur Verfügung gestellt. Über die Teilnahme an diesem Lehrgang wird eine Bescheinigung ausgestellt.

Zielgruppe

Wissenschaftliche und technische Mitarbeiter aus Industrie, Forschungseinrichtungen, Hochschulen oder Behörden, die ihre Kenntnisse und praktischen Erfahrungen über Anwendungen in allen Bereichen der kristallographischen Gefüge- und Phasencharakterisierung im REM auffrischen bzw. vertiefen und mehr über das derzeitige Leistungsspektrum der Methode erfahren wollen.

Lehrgangsleitung

Dr. rer. nat. Gert Nolze

Prof. Dr. R. Schwarzer
unter Mitwirkung von Mitarbeitern von EBSD-Firmen

Termin

21.03. - 23.03.2012
Mittwoch – Donnerstag: 08:30 - 13:00 Uhr und 14:30 - 17:30 Uhr
Freitag: 08:30 - 16:00 Uhr

Veranstaltungsort

Westfälische Wilhelms-Universität Münster

Kosten

1.020,- EUR (mehrwertsteuerfrei)

Veranstalter

Akademie für Elektronenmikroskopie und Analytik gemeinnützige GmbH

Anmeldung

Bitte nutzen Sie für die Anmeldung folgendes Online-Formular:

Online-Anmeldung

Falls die Online-Anmeldung für Sie keine Option ist, melden Sie sich bitte per Brief oder per Fax unter Angabe der Kursnummer an:

Priv.-Doz. Dr. P.F. Schmidt
Akademie für Elektronenmikroskopie und Analytik gGmbH
Korbmacherweg 2
48161 Münster
Tel.: 0251/83-55112
Fax: 0251/83-55188

Bei der Anmeldung für die REM-Lehrgänge geben Sie bitte den Typ des REM und des EDX-Analysengerätes an, an dem Sie arbeiten oder arbeiten werden. Diese Angabe benötigen wir für die Einteilung in die Arbeitsgruppen.

Nähere Informationen zum Lehrgang (Bestätigung, genaue Ortsangabe und Rechnung) gehen Ihnen nach Ihrer Anmeldung zu.

Programmänderungen bleiben vorbehalten. Für Schäden oder Verluste im Zusammenhang mit der Lehrgangsabwicklung wird keine Haftung übernommen. Kommt der Lehrgang nicht zustande, wird die gezahlte Teilnahmegebühr erstattet, weitergehende Ansprüche sind ausgeschlossen.