Lehrgang EDX-WDX

Akademie für Elektronen-mikroskopie und Analytik gemeinnützige GmbH

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Lehrgang EDX-WDX

Energie- (EDX) und wellenlängendispersive (WDX) Röntgenmikrobereichsanalyse in der Elektronenmikroskopie mit einer Einführung in oberflächenanalytische Verfahren: XPS und ToF-SIMS

Inhalt

Ein großer Vorteil der Rasterelektronenmikroskopie liegt in den Möglichkeiten der Analyse von Elementen mittels energie- oder wellenlängendispersiver Röntgenmikrobereichsanalyse. Diese analytischen Methoden werden durch Vorträge und durch Demonstrationen an Analysesystemen dargestellt.
Der Lehrgang baut inhaltlich auf den im Lehrgang R-3 vermittelten EDX-Kenntnissen auf und setzt die Kenntnisse des dort vermittelten Stoffs voraus. Ein Schwerpunkt dieses Lehrgangs ist die Vermittlung von Grundlagen und Erfahrungen der quantitativen energie- und wellenlängendispersiven Röntgenmikrobereichsanalyse.
Weiterhin wird der neueste Stand der Gerätetechnik und der Programme vermittelt. Vorträge über Anwendungen der Mikrobereichsanalyse weisen auf die vielfältigen Möglichkeiten dieser Analysetechnik hin.
Da häufig Untersuchungen gezeigt haben, dass zu den Ergebnissen der EDX/WDX-Analysen Kenntnisse z. B. über Oberflächenbelegungen oder Tiefenprofile notwendig sind, bzw. wenn EDX/WDX-Analysen nicht die gewünschten Ergebnisse liefern, sind weitere analytische Methoden erforderlich. Daher wird das in dem Lehrgang dargelegte Spektrum der analytischen Möglichkei-ten der EDX/WDX-Analysen durch den Vergleich mit anderen oberflächenanalytischen Methoden (XPS/ESCA und TOF-SIMS) in Vorträgen und in Übungen erweitert.

In Demonstrationen und freien Übungen können Ihre analytischen Fragen und Probleme theoretisch und praktisch behandelt werden.

XPS (ESCA)

Fragestellungen, die die Oberfläche betreffen, wie z. B. beim Kontakt zweier Materialien, bei denen oft nur die Oberflächen in Interaktion treten (z. B. beim Kleben oder bei Implantatoberflächen) oder wenn sich bei einem Bruch neue Oberflächen bilden, erfordern eine oberflächenempfindliche Analyse. Aus diesem Grund kommt der Oberflächen- und der Dünnschichtanalytik in der Praxis eine große Bedeutung zu. In den Bereichen Forschung und Entwicklung, Prozesskontrolle, Qualitätssicherung und im Schadens- oder Reklamationsfall gibt es eine Reihe unterschiedlicher Fragestellungen, die mit den geeigneten, oberflächenanalytischen Methoden bearbeitet werden können. Der Vortrag und Übungen geben eine kurze, praxisgerechte Einführung in die Photoelektronenspektroskopie (XPS / ESCA) und grenzen die Methode von anderen Techniken wie EDX, Augerspektroskopie und SIMS ab. Anhand von praxisnahen Beispielen werden die vielfältigen Anwendungsmöglichkeiten der Technik vorgestellt.

Oberflächenanalyse mit ToF-SIMS

Neben der Rasterelektronenmikroskopie (REM) haben sich in den letzten Jahren weitere bildgebende Verfahren für Spezial-anwendungen in der Oberflächen- und Mikrobereichsanalyse etablieren können. Ein Beispiel dafür ist die ToF-SIMS (Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry, Flugzeit-Sekundärionen-Massenspektrometrie).
Mit der ToF-SIMS ist es möglich, sowohl Elemente als auch Moleküle in der obersten Monolage eines Festkörpers mit großer Empfindlichkeit (Atome: ppm; Mokelüle: fmol) nachzuweisen. Damit ist die ToF-SIMS hervorragend zum Screening unbekannter Materialien geeignet. Bis zu einer Masse von etwa 10.000 u können Moleküle intakt desorbiert werden. Größere Moleküle sind an Hand ihrer charakteristischen Fragmente identifizierbar.

Das Verfahren ist bildgebend, und es können Lateralverteilungsbilder (SIMS-Imaging; „chemische Karten“) der Elemente und Moleküle auf einer Oberfläche erstellt werden. Typischerweise beträgt die laterale Auflösung 1 µm, bestenfalls werden 100 nm erreicht. In Kombination mit fortdauerndem Ionenbeschuss kann die Oberfläche sukzessive abgetragen werden. Die Analyse des abgetragenen („abgesputterten“) Materials gibt Aufschluss über die chemische Zusammensetzung der Probe als Funktion der Tiefe (SIMS-Tiefen-pro-filierung).
Die 3D-Verteilung einer Probe kann durch Kombination von Imaging und Tiefenprofilierung erfasst werden. In Vortrag und Übungen werden die wesentlichen physikalischen Grundlagen, die Gerätetechnik sowie die Hauptanwendungsgebiete der ToF-SIMS an Hand von Fallbeispielen dargestellt.

Programm Lehrgang EDX/WDX

Energiedispersive Röntgenspektrometer für die Elektronenstrahl-Mikrobereichsanalyse
Qualitative Elektronenstrahl-Mikrobereichsanalyse mittels REM/EDX
Wellenlängendispersive Systeme bei der Elektronenstrahl-Röntgenmikrobereichsanalyse
Quantitative Elektronenstrahl-Röntgenmikrobereichsanalyse
Röntgenmikrobereichsanalyse in der Mineralogie, Geologie und den Materialwissenschaften (Keramik, Baustoffe)
EDX und WDX für die Analyse metallischer Werkstoffe
Röntgenmikrobereichsanalyse in Medizin und Biologie
Röntgenmikrobereichsanalyse leichter Elemente
Röntgenmikrobereichsanalyse von sehr kleinen Volumen und von dünnen Schichten
Simulation von EDX-Spektren
Kombination von EDX/WDX und Bildanalyse
Demonstrationen und Übungen an EDX-Systemen
Firmen stellen vor: neue Entwicklungen in der EDX/WDX-Analytik
Einführung in die oberflächenanalytischen Methoden (Auger, ESCA, SIMS) im Vergleich zur EDX
Demonstrationen und Übungen an einem XPS- und ToF-SIMS-System

Arbeitsunterlagen werden zur Verfügung gestellt. Über die Teilnahme an diesem Lehrgang wird eine Bescheinigung ausgestellt.

Zielgruppe

Wissenschaftliche und technische Mitarbeiter aus Industrie, Forschungseinrichtungen, Hochschulen oder Behörden, die ihre Kenntnisse und praktischen Erfahrungen über Anwendungen in allen Bereichen der Röntgenmikrobereichsanalyse vertiefen und erweitern und zusätzlich Informationen über oberflächenanalytische Analyseverfahren erwerben wollen.

Lehrgangsleitung

Priv.Doz. Dr. P.F. Schmidt

Termin

08. - 11.11.2010
Montag – Mittwoch: 08:30 - 13:00 Uhr und 14:30 - 17:30 Uhr
Donnerstag: 08:30 - 13:00 Uhr

Veranstaltungsort

Westfälische Wilhelms-Universität Münster

Kosten

1.050,- EUR (mehrwertsteuerfrei; die Teilnahmegebühr schließt das Mittagessen ein)

Veranstalter

Akademie für Elektronenmikroskopie und Analytik gemeinnützige GmbH

Anmeldung

Bitte nutzen Sie für die Anmeldung folgendes Online-Formular:

Online-Anmeldung

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Priv.-Doz. Dr. P.F. Schmidt
Akademie für Elektronenmikroskopie und Analytik gGmbH
Korbmacherweg 2
48161 Münster
Tel.: 0251/83-55112
Fax: 0251/83-55188

Bei der Anmeldung für die REM-Lehrgänge geben Sie bitte den Typ des REM und des EDX-Analysengerätes an, an dem Sie arbeiten oder arbeiten werden. Diese Angabe benötigen wir für die Einteilung in die Arbeitsgruppen.

Nähere Informationen zum Lehrgang (Bestätigung, genaue Ortsangabe und Rechnung) gehen Ihnen nach Ihrer Anmeldung zu.

Programmänderungen bleiben vorbehalten. Für Schäden oder Verluste im Zusammenhang mit der Lehrgangsabwicklung wird keine Haftung übernommen. Kommt der Lehrgang nicht zustande, wird die gezahlte Teilnahmegebühr erstattet, weitergehende Ansprüche sind ausgeschlossen.